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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3987
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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