RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3899
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Mushkin 992017 (997017) 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link