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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2821
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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