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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
71
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
71
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1902
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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