RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3715
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link