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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
65
Por volta de -242% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2994
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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