RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
4015
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link