RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
60
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3706
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link