Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,168.2 left arrow 11.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 60
    Por volta de -140% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    60 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,595.2 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,168.2 left arrow 11.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    941 left arrow 2825
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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