RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
65
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2307
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link