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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
52
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
3199
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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