RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
2,594.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
77
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
46
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
5,520.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
2,594.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
6400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link