RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
36
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2849
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link