RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
15.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3673
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link