RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de -50% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
6.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2256
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link