Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Diferenças

  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 17000
    Por volta de 1.25% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 33
    Por volta de -18% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.6 left arrow 16
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.4 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    33 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 17.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.1 left arrow 15.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2947 left arrow 3705
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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