RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3587
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link