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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
33
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
20
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3395
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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