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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
94
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
94
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1506
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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