RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2486
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link