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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
83
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
14.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
83
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2240
1774
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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