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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
37
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2561
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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