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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2672
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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