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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
67
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
6.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
3.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
41
67
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
6.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
3.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
1076
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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