Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    41 left arrow 67
    Por volta de 39% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 67
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2176 left arrow 1076
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RAM 2

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