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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2563
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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