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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2867
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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