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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3540
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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