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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3027
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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