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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2427
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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