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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
11
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2246
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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