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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
84
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
84
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1486
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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