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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2312
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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