RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3034
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link