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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3638
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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