Comparação RAM Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 74

Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.4 13.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.5 7.7

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2321 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns