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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2913
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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