RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
56
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2089
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link