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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
56
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2852
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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