RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
56
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2600
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link