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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
56
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3206
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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