RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
56
Por volta de -195% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3314
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link