RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
65
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
1,813.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
56
65
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
4,605.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
2,451.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
878
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link