RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Comparar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
8.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
8.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
1842
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link