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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
19.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
4052
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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