RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2408
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link