RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3391
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link