RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2126
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link