RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
59
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2181
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link