RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
63
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2061
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link