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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3009
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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